パワーデバイス用ソケット

ケルビン接続機能を搭載し、次世代のSiC（シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）といった先進的な半導体材料を用いたMOSFETの性能を最大限に引き出すソケットです。
・高電流・高耐圧タイプは最大接触抵抗20mΩを実現し、安定した大電流試験をサポート。
・高温・高耐圧タイプは最大使用温度220℃で、過酷な温度環境での試験に対応します。
・低アウトガス対応タイプはインシュレーターにPEEKを使用し、精密なクリーン環境での使用に最適です。
・端子にスズメッキを採用したタイプは、大電流を確保しつつコストパフォーマンスに優れます。